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偏壓高溫高濕試驗箱測試及標準

文章出處 : 技術(shù)知識 文章編輯 : 環(huán)儀儀器 閱讀量 : 發(fā)表時間 : 2024-10-25

根據(jù)國際半導體標準化組織（JEDEC）的要求，半導體設計和制造企業(yè)可以自行評估旗下產(chǎn)品的可靠性，偏壓高溫高濕試驗則是其中一項重要試驗項目，偏壓高溫高濕試模擬了“85/85”穩(wěn)態(tài)濕度壽命試驗(JESD22-A101)的失效機理，即在讓元件長時間承受電氣性stress高溫（85℃）、高濕（85%RH）環(huán)境條件，至少運行1000h，評估元件的電力和機械性性能。

試驗標準：JESD22A-101：半導體工業(yè)協(xié)會頒布的標準，用于規(guī)范半導體器件的測試方法和程序。

試驗設備：環(huán)儀儀器偏壓高溫高濕試驗箱

偏壓高溫高濕試驗箱測試及標準(圖1)

符合試驗：溫濕度貯存測試和溫濕度偏壓測試

1.溫濕度貯存（Temperature Humidity Storage, THS）測試用于評估半導體產(chǎn)品承受高溫和高濕條件下的耐受性。為了確定合適的曝露時間，建議通過測量打開防潮包裝后的吸濕量以模擬實際的使用環(huán)境。

2.溫濕度偏壓（THB）測試通過向產(chǎn)品施加電偏壓（Electrical Bias）的方法來評估其防潮性能。盡管大多數(shù)失效原因是由鋁腐蝕引起的，但溫度應力也會造成其它潛在問題。該測試還可以用于檢測其它封裝可靠性問題，例如濕氣滲入引線間細小空隙或模塑孔而引發(fā)的焊盤金屬腐蝕問題，以及濕氣透過保護膜空隙滲入而導致的失效問題等。

備注：電偏壓（Electrical Bias）：在兩點之間施加直流電（DC）以控制電路。

偏壓高溫高濕試驗箱測試及標準(圖2)