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GB/T 36356-2018 是中國國家標準中關于功率半導體發(fā)光二極管芯片技術規(guī)范的標準。該標準為該領域的設計、制造和測試提供了規(guī)范和指導。
一、范圍：
本標準規(guī)定了功率半導體發(fā)光二極管芯片產品(以下簡稱芯片)的技術要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、運輸和儲存等。
本標準適用于功率半導體發(fā)光二極管芯片。
二、試驗項目：
溫度循環(huán)試驗、循環(huán)濕熱試驗，恒加速度試驗等。
三、試驗設備：
溫度沖擊試驗箱、離心機等。
四、文檔獲取：
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五、試驗程序（部分）：
1. 溫度循環(huán)
溫度循環(huán)試驗按GB/T 2423.22-2012的規(guī)定進行，試驗后符合3.5.3的規(guī)定。
2. 循環(huán)濕熱
循環(huán)濕熱試驗按GB/T 2423.4-2008的規(guī)定進行，試驗后符合3.5.4的規(guī)定。
3. 恒定加速度(適用于空腔封裝器件)
恒定加速度試驗按GB/T 2423.15-2008的規(guī)定進行，試驗后符合3.5.5的規(guī)定。
GB/T 36356-2018 是在中國廣泛應用于功率半導體發(fā)光二極管芯片的技術規(guī)范標準，有助于推動該領域的標準化和質量控制。
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